中國成三星全産業鏈基地 128GB記憶體晶片量産

　　中新網12月4日電 三星電子近日宣佈,將在全球首家推出128GB DRAM記憶體。該産品採用3D立體硅穿孔封裝技術,容量和速度提升2倍,能耗減少50%。已經正式進入量産。

　　據悉,在這個小小的記憶體晶片中,三星內置了 144 個晶片,形成了 36×4GB DRAM 封裝,每個封裝中有 4×8Gb 晶片,而且該記憶體晶片採用了三星最先進的 20毫微米工藝製造。

　　因此,128GB TSV DRAM模組不僅容量大,而且還滿足超高速、超省電、高安全性等綠色IT的要求,是面向企業級伺服器和數據中心的解決方案。

　　相比于傳統的引線連接多晶片封裝方式,TSV(硅穿孔)技術能夠大大減少半導體設計中的引線使用量,降低工藝複雜度,從而提升速度、降低功耗、縮小體積。

　　尤其與採用引線連接封裝方式的64GBD RAM 模組相比,128GB TSV DRAM模組的速度高達2,400Mbps,而功耗則減少了50%。

　　而且,三星電子計劃在年內量産採用TSV技術的 “128GB DDR4 LRDIMM”, 並提高20奈米8GB DRAM的生産比例,以此進一步加強競爭力。

　　三星電子記憶體事業部戰略行銷組CHO JOO SUN 副社長表示:“ 得益於128GB DRAM模組的量産,我們才能及時上線幫助全球IT客戶提高投資效率的下一代伺服器系統。今後,我們會擴大客戶和技術合作範圍,加快全球IT市場的發展,讓消費者享受更加便利的服務。”

　　在過去20年,三星始終保持記憶體行業世界領先的位置。三星半導體不僅在中國引入最先進的技術,同時建設完整的産業鏈,不斷地自我創新和自我超越。

　　4月15日,三星電子(蘇州)半導體有限公司新型生産線“I LINE”竣工。而在一天之前的4月14日,三星(中國)半導體有限公司在西安也隆重舉行了封裝測試生産線竣工投運儀式。

　　據了解,三星在韓國的華城建有存儲晶片的生産基地,在韓國的溫陽和中國的蘇州運作有存儲晶片的封裝測試中心。而位於西安高新區綜合保稅區的三星(中國)半導體有限公司4月14日竣工的封裝測試生産線,是將前工程生産出的V-NAND快閃記憶體,在這裡經過封裝測試等工序製成固態硬碟(SSD)。這標誌著三星(中國)半導體有限公司將成為集存儲晶片生産、封裝、測試于一體的半導體綜合生産園區。

　　兩天之內,三星半導體在中國的兩家工廠生産線先後竣工,這不僅意味著三星半導體全業態生産鏈在中國正式形成,也意味著三星在中國的發展戰略正不斷朝著高端製造以及高科技轉移。