中國網1月30日訊 據中國國防科技資訊網報道，美國陸軍研究人員正在向行業尋求開發最先進的碳化矽(SiC)半導體功率電子技術，用於下一代高壓開關設備。1月28日，陸軍發佈了一份關於“碳化矽高壓功率技術”(SIC HVPT)項目的招標公告(W911NF-13-R-0002)，重點關注SiC半導體開關設計、外延材料生長、半導體器件製造和晶片堆棧封裝技術。陸軍研究人員感興趣的領域包括增加高效電流密度，採用更大尺寸的晶片堆棧，更高的開關頻率，阻斷電壓大於10000伏。
該項目將重點開發SiC高壓雙極半導體開關，最終單晶片阻斷電壓在15000V ~24000V，電流負荷10A。這些開關應能在最大導通電流額定值時關閉。美國陸軍正在考慮使用一種高等級配置的高壓開關，脈衝電壓15000V，最小電壓10000V，電流峰值30A，頻率為35kHz。另一種應用是利用高壓開關和二極體控制Marx電源20000V存儲電容器的放電，平均電流10A，短路電流100A。
陸軍希望開發一種封裝技術，可提供電壓隔離、傳熱、電流和頻率，從而使SiC器件性能擺脫封裝局限，儘量減小器件體積。
回應日期截止到2月28日。(工業和資訊化部電子科學技術情報研究所 陳皓)
